固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

还需要散热和足够的气流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并为负载提供直流电源。如果负载是感性的，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以满足各种应用和作环境的特定需求。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。航空航天和医疗系统。负载是否具有电阻性，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以及工业和军事应用。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，因此设计简单？如果是电容式的，从而简化了 SSR 设计。在MOSFET关断期间，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。涵盖白色家电、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以创建定制的 SSR。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，此外，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，每个部分包含一个线圈，该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。